.”
“你们要明白，它是未来芯片制造技术的核心关键点.”
“芯片能有多大？你们也见过，就是不到一平方厘米大小而已，但想要在如此小的芯片里面，集成更多的晶体管数量，就要求我们必须更加深入地研究晶体管技术.”
“蔡云丽同志，你还记得浅槽隔离的定义吗？”
原本正听着训话，稍微有点走神的蔡云丽，霎时间就被点名了。
顿时让她的脸蛋红了一下，只不过，戴着口罩，大家看不出来罢了。
“主任，浅槽隔离是在衬底上制作的晶体管有源区之间隔离区的一种可选工艺通常用于一微米工艺或以下.”
听到蔡丽云的话，陈国华哼了一下：
“下次别走神了，然后又跟不上我的思维了，到时候岂不是我说了等于白说？”
“我强调过很多次了，搞技术研发，要专注，要仔细，不能够马虎.”
“你们现在站的位置，可是我们振华研究所花重金打造的实验室，在这里，你们每浪费一天的时间，我们就要浪费好几百块钱”
训斥过后，陈国华也不想继续打击众人了，宣布再次进行实验。
一微米晶体管技术，实在很困难。
现如今，陈国华的想法，要么是优先实现几位微米晶体管技术，要么就是先利用离子注入设备，将半成品的芯片给制造出来。
晶圆这东西，已经被材料科研所那边攻克了。
所以，陈国华早已经通过5341工厂采购了一批晶圆。
如此一来，通过离子注入设备的话，倒是可以优先制作出一批半成品的芯片。
但在此之前，还得攻克部分技术。
比如浅槽隔离技术，比如硅局部氧化隔离技术、多栅晶体管技术等。
想要在一枚一平方厘米，也就是指甲盖大小的芯片上面，放置更多的晶体管，那么对微米技术的要求，便十分高。
针对这部分技术，陈国华早就提出了微米技术，便是一种针对微小尺寸工作的技术。
林志武此时便是听着陈国华在设备面前，进行技术讲解：
“之前我们就提到过了硅局部氧化隔离技术，我们今天就优先完成这部分技术，关于浅槽隔离技术，目前的设备，还无法支持.”
“作为硅工艺器件隔离技术，我们主要是是利用氮化硅为掩膜来实现了硅的选择氧化”
“在这样的工艺中，除了形成有源晶体管的区域以外，在其他所有重掺杂硅区上均生长一层厚的氧化层，称为隔离或场氧化层”
半小时之后，陈国华离开了实验室。
技术细节已经阐述清晰了，他们的问题，也都回答完毕了。
林志武、蔡云丽他们都表示明白，那么剩下的工作，自然就由他们自己来完成了。
陈国华还有很多的事儿要忙碌，这不，他刚走出实验室，邱宗岳便已经过来了。
“国华，等下还忙
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